Professor Fan Fengjia van de faculteit natuurkunde van de University of Science and Technology in China en professor Shen Huaibin van de universiteit van Henan werkten samen om met behulp van EETA-technologie de belangrijkste wetenschappelijke vraagstukken rondom groene indiumfosfide-gebaseerde kwantumdot-lichtgevende diodes grondig te bestuderen.
Ze behaalden met succes een maximale externe kwantumefficiëntie (EQE) van 26,68% voor groene kwantumdot-LED's op basis van indiumfosfide, een helderheid van meer dan 270.000 cd/m2 en een T95-levensduur (helderheid neemt af tot 95% van de beginwaarde) van 1.241 uur bij een initiële helderheid van 1.000 cd/m2, waarmee een nieuw wereldrecord werd gevestigd.
Principe van elektrisch geëxciteerde transiënte absorptie en belangrijke wetenschappelijke kwesties van op indiumfosfide gebaseerde kwantumdot-LED's
Uit recent onderzoek van professor Fan Fengjia en zijn onderzoeksteam blijkt dat de voornaamste reden voor de slechte prestaties van de huidige groene indiumfosfide-gebaseerde quantumdot-LED's een onvoldoende elektroneninjectie en ernstige elektronenlekkage is.
Daartoe stelde het onderzoeksteam een "laag en breed barrière-"-ontwerp voor dat niet alleen de efficiëntie van de elektroneninjectie verbeterde, maar ook effectief het lekverschijnsel onderdrukte. Door deze optimalisatie vestigde het onderzoeksteam met succes een nieuw wereldrecord.
De relevante onderzoeksresultaten werden gepubliceerd in het tijdschrift Nature onder de titel "Efficiënte groene InP-gebaseerde QD-LED door beheersing van elektroneninjectie en -lekkage", wat een belangrijke vooruitgang markeert in niet-giftige quantum dot LED-technologie.
